容值 3.8PF, 耐压 100V, 硅基芯片电容
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● 现货供应，明码标价。
● 采用硅基半导体平面工艺结构。
● 表面纯金电极，适合金丝、金带等微组装工艺。
● 适合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊，以及Sn /Pb、导电胶粘接。
| 参数 | 最小 | 典型 | 最大 | 单位 |
| 容值 | 3.8 | PF | ||
| 容值误差 | ±20% | |||
| 耐压 | 100 | V | ||
| 工作温度 | -55 | ~ | +150 | ℃ |
| 插入损耗 | 0.1 | dB@18GHz | ||
| 插入损耗 | 0.2 | dB@40GHz |
| 质量等级 | 工业级 |
| ROHS | 满足 |
| 其它 | 硅基芯片电容 |
| 尺寸代码 | 尺寸 | 单位 |
| L | 0.3 | mm |
| W | 0.3 | mm |
| T | 0.15 | mm |
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