0.7~2.7GHz, 饱和功率 100W, SMA
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产品不可用于违法用途，违法使用造成的损失由客户承担。
| 参数 | 最小 | 典型 | 最大 | 单位 |
| 工作频率 | 0.7 | ~ | 2.7 | GHz |
| 增益 | 58 | dB@line | ||
| 输入驻波比 | 2 | |||
| 饱和功率 | 100 | W | ||
| 效率 | 30 | % | ||
| 杂散抑制 | 70 | dBc | ||
| 谐波抑制 | 10 | dBc |
| 接口形式 | SMA-F or K |
| 接口材质 | 外壳铜镀金 |
| 阻抗 | 50Ω |
| 表面 | 镀镍 |
| 工作电压 | +40V |
| 工作电流 | 12A |
| 工作温度 | -40~+55℃设计保证 |
| 储存温度 | -50~+65℃设计保证 |
加电顺序：GND→+40V→PTT;
断电顺序与加电顺序相反
请严格按照顺序上电。
| 序号 | 名称 | 定义 |
| 1,3,5,7 | GND | |
| 2,4,6,8 | +40V | |
| 9,10 | PTT | 0（OFF）：0V；1（ON）：3.3V |
| 11,12 | GND | |
| 13,14,15,16 | NC |
| F（GHz） | 0.7 | 1 | 1.4 | 1.8 | 2 | 2.4 | 2.7 |
| IdQ（A） | 2.40 | ||||||
| VSWR in | 1.14 | 1.21 | 1.19 | 1.23 | 1.16 | 1.11 | 1.06 |
| Gain（Line） | 63.63 | 59.63 | 63.34 | 60.35 | 58.34 | 59.87 | 62.10 |
| P-1out（dBm） | 40.00 | 37.85 | 38.82 | 42.00 | 39.45 | 39.78 | 39.97 |
| Ids-1（A） | 2.48 | 2.50 | 2.38 | 2.38 | 2.40 | 2.75 | 2.52 |
| Pin（sat）（dBm) | -3.92 | 0.85 | -3.18 | -1.94 | 1.45 | -0.58 | -5.11 |
| Pout（dBm）(sat) | 51.90 | 51.68 | 51.27 | 52.07 | 50.33 | 51.92 | 50.39 |
| Pout（W）(sat) | 154.88 | 147.23 | 133.96 | 161.06 | 107.89 | 155.59 | 109.39 |
| Gain(dB)（sat） | 55.82 | 50.83 | 54.45 | 54.01 | 48.88 | 52.50 | 55.50 |
| Ids（A） | 8.60 | 8.83 | 8.28 | 7.22 | 8.19 | 10.63 | 7.61 |
| η（%） | 45.02 | 41.68 | 40.44 | 55.77 | 32.93 | 36.59 | 35.93 |
| 杂波抑制（dBc） | 70.00 | 68.00 | 76.00 | 77.10 | 76.40 | 73.80 | 73.20 |
| 2次谐波抑制（dBc） | 18.60 | 12.16 | 14.20 | 23.00 | 20.80 | 25.70 | 21.40 |
| 3次谐波抑制（dBc） | 14.50 | 12.60 | 20.10 | 30.30 | 27.40 | 41.00 | 39.00 |
| 4次谐波抑制（dBc） | 32.00 | 32.00 | 32.30 | 50.30 | 46.50 | 56.80 | 43.90 |
存储在湿度小于25%的环境，注意防尘防静电；
产品输出不能空载；
产品功耗大，工作时，请增加散热措施，如风冷等；底部涂覆导热硅脂协助散热。
清洗产品表面，请勿将产品浸泡清洗液中清洗。
提供技术要求，工程师 1 个工作日内响应。
