通带频率4.8-18.0GHz, 阻带抑制 40@4.3GHz,
产品不可用于违法用途,违法使用造成的损失由客户承担。
高精度胶片处理技术
高性能,低温漂,大功率
陶瓷基板,50Ω共面波导
金丝键合,适用于多芯片集成模块
| 项目 | 参数 | 单位 |
| 通带频率 | DC-3.8 | GHz |
| 通带频率 | 4.8-18.0 | GHz |
| 通带损耗 | 2.5 | dB |
| 带内波动 | 2.5 | dB |
| 驻波比 | 2.0:1 | |
| 群时延波动 | 0.5 | ns |
| 阻带抑制 | 40@4.3GHz | dBc |
| 承受功率 | 0.5W CW |
| 工作温度 | -55 ~ +85℃ |
| 储存温度 | -55 ~ +125℃ |
| 外形尺寸 | L:13.9,W:4.0,h:0.26 |


1:芯片建议分腔使用,单侧距侧壁0.1mm,表面距上盖2.74mm,端口可互换;
2:芯片推荐使用低应力导电胶(如 ME8456)粘接;
3:芯片应安装在可伐(推荐) 或铜等与陶瓷热膨胀系数(6.7ppm /C)相近的材料,载体厚度≥0.2mm;
4:微带线与芯片键合连接时,建议微带键合处采用T型结构进行匹配;


