工作带宽 23.7-25.7GHz,带外抑制 40@DC-21.6GHz,40@27.0-31.0GHz,
产品不可用于违法用途,违法使用造成的损失由客户承担。
高精度MEMS工艺制备
高性能,低温漂,小体积
陶瓷基板,50Ω共面波导
金丝键合,适用于多芯片集成模块
| 项目 | 参数 | 单位 |
| 中心频率 | 24.7 | GHz |
| 工作带宽 | 23.7-25.7 | GHz |
| 中心损耗 | 3.0 | dB |
| 带内波动 | 1.0 | dB |
| 驻波比 | 1.7:1 | |
| 群时延波动 | 0.5 | ns |
| 带外抑制 | 40@DC-21.6GHz | dBc |
| 带外抑制 | 40@27.0-31.0GHz | dBc |
| 承受功率 | <4W CW |
| 工作温度 | -55~+85℃ |
| 储存温度 | -55~+125℃ |
| 外形尺寸 | A:8.5,B:1.9,C:0.8,D:0.4,E:0.2,F:0.14,G:0.28 |


1:芯片建议分腔使用,单侧距侧壁0.1mm,表面距上盖2.2mm,端口可互换;
2:芯片推荐使用低应力导电胶(如 ME8456)粘接,采用不少于2根25-50um金丝键合线连接,连接线尽量短,键合高度尽量低;
3:芯片应安装在可伐(推荐) 或铜等与陶瓷热膨胀系数(6.7ppm /C)相近的材料,载体厚度≥0.2mm,,不能直接烧焊在铝或铜 盒子上;
4:微带线与芯片键合连接时,建议微带键合处采用T型结构进行匹配;


